二氧化硅在集成电路制作过程中，可以阻止杂质扩散，这就提供了选择扩散的可能，例如在硅片上生成一层完整的二氧化硅后，再利用光刻的办法，有选择地刻蚀掉某些部分的二氧化硅，然后的高温下掺杂（例如掺硼）就使这没有二氧化硅保护的区域有硼扩散进去了，这里因此变成了P型区（通常是基区）。

　　另外二氧化硅是良好的绝缘体，在集成电路制作过程最后要将分散的二极管，三极管，电阻等元件用铝条连接起来，有些地方需要连，也有些地方不要连，不要连的地方，用二氧化硅盖起来就行了，而需要连的地方，也用光刻的办法，有选择地刻蚀掉，就可以由经过的铝条，连起来了。