用NMOS还是PMOS关断好？

　　NMOS的电流Id必须从D流到S，而PMOS的电流必须从s流到d 一般RDS(ON)非常小,在导通时D与S电压几乎一样；“G端电压比D端高出一个启动电压”实际上就是G端电压比D端高出一个启动电压，这是N沟道MOS管导通的必要条件。

　　NMOS导通需要gs有一个正压，导通时，必须通过自举电容来获取gs的正压，pmos导通gs需要一个负压，即G端电压要小于s端电压，这样ic实现起来就很方便了,不用之举电容。但是pmos没有nmos流行的原因是，pmos导通压降大，效率低，Pmos的同态电阻比NMOS大,输入电压低,而且还有成本问题,所以开关电源主开关管很少用PMOS导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。

　　NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

　　PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，使用与源极接VCC时的情况(高端驱动)。

　　但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

　　nmos和pmos区别？

　　1 nmos和pmos有明显的区别。2 nmos是一种n型金属-氧化物半导体场效应晶体管，它的导电电子是由底部的n型半导体提供的。pmos则是一种p型金属-氧化物半导体场效应晶体管，其导电空穴由底部的p型半导体提供。3 nmos和pmos在电路中的应用也不同，它们被广泛用于数字电路中，如逻辑门和存储器单元。同时，它们也有不同的电流特性和电压极限，因此在实际设计中需要进行合理的选择和搭配。

　　1 nmos和pmos是两种不同类型的晶体管。2 nmos是n型金属氧化物半导体场效应晶体管，其结构由n型源、漏极和p型栅极组成。当栅极加正电压时，漏极和源极之间就形成了一个导电通道，电流可以通过。pmos是p型金属氧化物半导体场效应晶体管，其结构由p型源、漏极和n型栅极组成。当栅极加负电压时，漏极和源极之间就形成了一个导电通道，电流可以通过。3 nmos和pmos在逻辑电路中经常被用于制造CMOS互补金属氧化物半导体电路，以实现高密度、低功耗的数字逻辑运算。

　　NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。

　　PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。

　　两者区别：

　　1、导通特性

　　NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

　　2.MOS开关管损失

　　不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。 导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。

　　3.MOS管驱动

　　跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。 在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。