mos能替代三极管哪里？

　　MOS管是电压控制器件，三极管是电流控制器件。控制原理不一样，MOS管不能代替三极管。当MOS管有电流输入时，MOS管内部会对电流进行锁存，与至于电流不断增大，会烧掉MOS管。

　　可控硅里的三极管也一样，不能用MOS代替。有些场效应管源极和漏极可以互换，三极管集电极和发射极不可以互换。

　　三极管和mos做放大器的区别？

　　三极管和MOS管的区别：1、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。

　　2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。

　　3、功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。

　　

　　4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

　　扩展资料：

　　产品参数

　　特征频率

　　当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作。

　　fT称作增益带宽积，即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高，放大倍数会下降．fT也可以定义为β=1时的频率。

　　电压/电流

　　用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。

　　hFE

　　电流放大倍数。

　　VCEO

　　集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压。

　　PCM

　　最大允许耗散功率.

　　封装形式

　　指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现。

　　工作状态

　　截止状态

　　当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。

　　

　　放大状态

　　

　　当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。

　　饱和导通

　　当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。

　　三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。

　　根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。