内阻最小的场效应管？

　　答案：场效应管中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）的内阻最小。

　　解释：MOSFET是一种常用的场效应管，它由金属氧化物半导体构成。MOSFET的内部结构包括两个p型半导体和一个n型半导体构成的结构。在MOSFET的控制端加上电压后，n型半导体区域会形成一个导电通道，控制电流的流动。

　　

　　相比于其他类型的场效应管，MOSFET的内阻较小。这是因为MOSFET具有高输入阻抗，即控制端的电流非常小。另外，MOSFET的导通通道中采用了绝缘层，可以减少导通时的通道电阻。这使得MOSFET的内阻较小，能够有效地控制大电流。

　　由于MOSFET内阻小的特点，它被广泛应用于各种电路和电子设备中，如放大器、开关和逆变器等。它具有较低的功耗和较高的开关速度，在现代电子技术中扮演着重要的角色。

　　当IRF520场效应管的GS控制电压在10伏时，内阻最小，可达0.23欧姆

　　

　　场效应管内阻测量方法？

　　用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。

　　因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。

　　若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。