光mos和光耦的区别？

　　1.光耦结构差异

　　光电耦合器和OCMOSFET的主要内部结构。

　　光电耦合器当发光二极管（LED）点亮光电晶体管时，光会产生从集电极流向光电晶体管基极的光电流。因此，当LED不点亮时，光电晶体管被切断，并且当LED强烈地点亮时，大的光电流从集电极流向基极，并且光电晶体管稳定地导通。与简单地使基极-集电极短路时不同，即使集电极-发射极电压小于晶体管的基极-发射极正向电压，光电流仍然流动并且光电晶体管导通。

　　OCMOSFET装有光伏电池，当LED点亮时，光伏电池对栅极电容充电以增加栅极-源极电压，从而导通了MOSFET中的MOSFET。接触式的情况。对于断开型触点，FET导通而没有栅源电压。但是，当LED点亮时，光伏电池会反向偏置栅极-源极电压，从而切断FET。当make-typeOCMOSFET关闭时，光伏电池不仅停止充电，而且内部放电器开关自动闭合，从而迫使栅极放电。结果，栅极-源极电压立即下降。

　　 OCMOSFET中的两个FET反向串联在一起。因此，当OCMOSFET导通时，两个FET都是双向导通的。但是，当OCMOSFET不导通时，仅在施加电压被切断的正向FET上导通，而另一个FET的寄生二极管导通。

　　 2.光耦特征差异

　　 由于上述这些结构差异，光电耦合器和OCMOSFET具有以下特征差异：

　　 1.尽管光耦合器在输出中仅传导DC（直流电），但OCMOSFET可以在FET中传导DC和AC（交流电）

　　 2.通常，光耦合器的工作速度为微秒或更高，而OCMOSFET的工作速度为毫秒。

　　 3.尽管光耦合器的输出传导特性随输入电流值而变化，但OCMOSFET的输出传导特性与输入电流值无关。

　　 4.光耦合器对应于输入变为导电。但是，在施加输入时，有两种OCMOSFET：一种导电（a触点：闭合型触点）和一种断开（b触点：断开型触点）。因此，尽管OCMOSFET不能期望像光电耦合器这样的高速操作，但是OCMOSFET可以在很小的输入电流（小至几毫安）的情况下切换交流电以及在安培范围内的大电流。

　　 3.应用差异

　　 通常，光耦合器仅用于传输直流信号。它的应用包括：

　　 1.脉冲传输（在常规数字电路中）另一方面，由于OCMOSFET的工作速度比光电耦合器的工作速度慢，因此很少用于信号传输。但是，由于MOSFET的双向传导和低导通电阻特性，它主要用作中断AC信号的“电子开关”。因此，OCMOSFET也被称为SSR（固态继电器）。

　　mos管和光耦哪个开关速度快？

　　MOS管的开关速度比光耦快。MOS管是一种半导体器件，具有快速的开关速度和响应时间，可以在纳秒级别完成开关操作。而光耦是一种光电器件，其开关速度受限于光的传输速度和光电转换效率，通常在微秒级别。因此，如果需要高速开关操作，MOS管是更好的选择。