硅基芯片特性?
硅基半导体芯片遵循摩尔定律的预测,芯片性能每隔 18-24 个月便会提升一倍。
但随着芯片尺寸不断缩小,特别是工艺水平进入 5 纳米级以后,硅芯片发展开始面临更加突出的短沟道效应、强场效应、薄氧化层的隧穿效应和功率耗散增加等一系列材料、工艺、技术、器件和系统方面的物理限制。
来源:文章来源于网络,如有侵权请联系我们删除。本文由五金加工编辑,欢迎分享本文,转载请保留出处和链接!
硅基半导体芯片遵循摩尔定律的预测,芯片性能每隔 18-24 个月便会提升一倍。
但随着芯片尺寸不断缩小,特别是工艺水平进入 5 纳米级以后,硅芯片发展开始面临更加突出的短沟道效应、强场效应、薄氧化层的隧穿效应和功率耗散增加等一系列材料、工艺、技术、器件和系统方面的物理限制。