写入是一个充电过程，本身较慢。尤其是对于MLC或者TLC，还需要控制充电电压，所有这些步骤都增加了时延。

　　另外很重要的一点，当剩余空间充裕的时候，Flash内部每个IO都是重定向写到新的擦除好的Block，此时写入相对还是较快（依然远低于读），但是当容量近满之后，由于重定向写之后产生的垃圾空洞分布不均，导致垃圾回收不能有效及时完成，会导致严重的写放大，也就是先读出block，擦掉，在写入整个block，此时写性能严重下降。