IRF640N的基本参数？
IRF640，采用TO-220AB 封装方式。晶体管极性:N沟道漏极电流, Id 最大值:18A电压, Vds 最大:200V开态电阻, Rds(on):0.15ohm电压 @ Rds测量:10V电压, Vgs 最高:4V封装类型:TO-220AB针脚数:3功率, Pd:150W封装类型:TO-220AB晶体管类型:MOSFET热阻, 结至外壳 A:1°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:200V电流, Id 连续:18A电流, Idm 脉冲:72A表面安装器件:通孔安装阈值电压, Vgs th 典型值:4V阈值电压, Vgs th 最高:4V
IRF640，采用TO-220AB 封装方式。 晶体管极性:N沟道 漏极电流, Id 最大值:18A 电压, Vds 最大:200V 开态电阻, Rds(on):0.15ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:4V 封装类型:TO-220AB 针脚数:3 功率, Pd:150W 封装类型:TO-220AB 晶体管类型:MOSFET 热阻, 结至外壳 A:1°C/W 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:200V 电流, Id 连续:18A 电流, Idm 脉冲:72A 表面安装器件:通孔安装 阈值电压, Vgs th 典型值:4V 阈值电压, Vgs th 最高:4V
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