1 IGBT吸收电容计算公式为Coss = Qg / Vds (Qg为输入电荷量，Vds为器件耐压)2 IGBT在开关过程中需要吸收电容器存储的能量，否则可能会损坏器件。Coss为IGBT的反向漏电容量，在设计电路时需要考虑到其大小。3 此外，IGBT的吸收电容计算公式还需要结合具体的电路参数进行计算，例如负载电感、电源电压等等。

　　您好，IGBT吸收电容计算公式为：

　　Coss = Qg / (Vge × f)

　　其中，Coss为IGBT的输出电容，单位是法拉（F）；Qg为IGBT的门极电荷，单位是库仑（C）；Vge为IGBT的门极-发射极电压，单位是伏特（V）；f为IGBT的开关频率，单位是赫兹（Hz）。

　　IGBT吸收电容计算公式为Coss=Vce(off)/dV/dt，其中Coss为吸收电容，Vce(off)为IGBT截止电压，dV/dt为IGBT关断速度。其原因是IGBT在关断时，会产生高电压尖峰，需要一个电容来吸收这一电压尖峰，以防止电流过大损坏器件。公式中的参数分别为吸收电容的容量大小、IGBT截止电压以及关断速度大小。包括IGBT吸收电容影响因素、如何优化IGBT吸收电容等。